研究方向：高Al组分AlGaN/AlN基功率电子器件

岗位名称：博士后研究员（1-2名）

我们的独特优势：

√III族氮化物MOCVD外延能力

√完善的洁净室器件工艺和表征平台

√超宽禁带半导体方向前沿，大量原创性工作机会

√对博后职业发展的全力支持

欢迎以下背景的候选人：

●III族氮化物或宽禁带半导体相关方向（材料生长、器件工艺、表征测试等）

●功率器件或RF器件方向（GaN、SiC等，希望向超宽禁带新赛道拓展）

●半导体器件仿真方向（希望结合实验验证）

●材料科学相关方向（具有半导体器件工艺和表征经验者）

招聘标准：

1.具有良好的思想政治素质和品德学风；

2.已取得或即将取得材料科学、微电子、物理、电子工程等相关专业博士学位，获得博士学位一般不超过3年；

3.具有很好的半导体物理专业知识，很强的动手能力，熟练掌握材料生长和测试表征技术，以第一作者发表过高水平学术论文，具备独立科研能力和团队协作精神；

4.进站后须全职从事博士后研究工作；

5.身体健康，符合北京大学博士后的招收条件。

薪资福利：

1.聘期一般两年，年薪30-34万元（税前，含五险一金），包括基本年薪12-16万元/年及深圳市在站博士后生活补助18万元/年）；

2.优秀者推荐申请“博雅博士后”等人才项目，待遇按博雅博后标准执行；

3.可获得科研绩效奖励；

4.出站后留深圳工作并与本市企事业单位签订3年以上合同的，可申请深圳市生活资助36万元；

5.推荐申请中国博士后科学基金面上资助项目、国自然青年基金、广东省自科基金、联合基金、深圳市自科基金等科研项目

6.协助解决学校宿舍或人才公寓。

申请材料：

请发送CV、代表性论文和简要研究兴趣说明至pkucom@outlook.com。（邮件标题注明：应聘某某岗位+本人姓名+高校人才网）欢迎随时非正式咨询，我们乐意先聊聊方向和实验室情况。【快捷投递：点击下方“立即投递/投递简历”，即刻进行职位报名】

备注：

初选通过后，邮件通知候选人；申请材料恕不退回。

北京大学博士后管理政策：http://postdocs.pku.edu.cn/

在站期间表现优秀者可以申请专职研究岗位。

截止时间：

长期有效，招到为止。

更多最新博士后招收资讯请关注：

【高才博士后】网站→https://boshihou.gaoxiaojob.com