氮化物宽禁带半导体方向副研究员 面议

部门/团队介绍
实验室介绍：中国科学院宁波材料所光电信息材料与器件实验室依托能源光电子材料与器件浙江省工程研究中心，建有超过1000平米超净间，拥有国际一流水平的半导体薄膜材料和光电器件生长和制备平台、高性能计算平台和相关软件。面向国家“双碳”目标的重大战略需求和半导体芯片“卡脖子”问题，以应用为研究的终极导向，强调基础科学问题的凝练与解决，突破光伏、显示和半导体的核心材料与器件的关键技术。实验室主要研究方向涵盖晶硅/钙钛矿多元体系光伏材料与器件、镓/铝系宽禁带半导体材料与器件、光学薄膜及高端显示材料与器件等。现有员工50人，其中研究员18人，副研究员/高级工程师12人、中级/博士后19人。
实验室主任介绍：叶继春，研究员，博士生导师。国家级人才称号、浙江省tp专家、浙江省杰出青年基金、宁波市领军拔尖人才第一层次等人才。中国科学院宁波材料所所属新能源技术所所长。主要研究领域包括新型太阳电池、宽禁带半导体和半导体材料先进表征技术开发。领衔团队承担国家重点研发计划、国家自然科学基金、中国科学院重大装备项目等科研项目50余项。在Nature Energy、Nature Communications、Joule等杂志上发表240篇论文，专著3篇，翻译著作1部，申请专利260余项，授权110余项, 2个项目实现转移转化，获得教育部自然科学奖二等奖（2019）， APVIA亚洲光伏-科技成就奖（2023）等荣誉称号。
方向带头人介绍：郭炜，研究员，博士生导师，浙江省级人才称号。本科毕业于上海交通大学，博士毕业于美国北卡罗来纳州立大学，曾担任全球最大的半导体设备供应商应用材料有限公司研发工程师，2016年加入中国科学院宁波材料所，先后任特聘青年研究员、副研究员、研究员。长期从事氮化物宽禁带半导体材料与器件的研究。主持了国家自然科学基金区创联合基金、面上、科技部重点研发计划子课题、中国科学院科研仪器设备研制项目、浙江省杰青等课题。在领域权威期刊上发表论文80余篇，引用2000余次、h因子24。近年来在AlN、AlGaN极性调控和紫外LED限阈特性研究、紫外辅助MOCVD设备开发、高耐压GaN HEMT器件制备等领域取得了一系列领先成果。入选了中科院青年创新促进会并担任青促会化材分会理事会委员，获得了浙江省“钱江人才”、宁波市领军人才、“3315创新团队计划”人才等称号。