晶体生长技术专家 面议
福州大学-中国福建光电信息科学与技术创新实验室（闽都创新实验室）任意晶向自支撑大尺寸多孔GaN单晶衬底制备及应用项目组2022年12月招聘启事需求专业（供参考）：
物理学,化学,材料科学与工程,电子科学与技术
截止日期：详见正文 2022-12-21发布
职位详情
- 五险一金
- 带薪年假
基本信息
- 用人部门：任意晶向自支撑大尺寸多孔GaN单晶衬底制备及应用项目组
- 报名方式：电子邮件
- 需求专业（供参考）： 物理学,化学,材料科学与工程,电子科学与技术
岗位职责
1、负责新型GaN单晶衬底生长工艺研发；
2、负责HVPE生长工艺优化与设计，指导技术人员完成设备运行与维护；
3、负责流动式气氛单晶提拉炉生长工艺研发，培训技术人员并建立标准作业流程；
4、参与实验室建设和运营管理。
2、负责HVPE生长工艺优化与设计，指导技术人员完成设备运行与维护；
3、负责流动式气氛单晶提拉炉生长工艺研发，培训技术人员并建立标准作业流程；
4、参与实验室建设和运营管理。
任职要求
1、具有物理、化学、材料、半导体或光电子等相关专业博士学位；
2、具有2年以上GaN晶体生长工作经验；
3、具有2年以上开放式提拉法晶体生长工作经验。
2、具有2年以上GaN晶体生长工作经验；
3、具有2年以上开放式提拉法晶体生长工作经验。
其他要求
1．应聘申请材料：应聘申请表、身份证/护照、学历/学位证书、学术成就目录、获奖证明、专利证书等复印件以及本人认为有必要提供的其他相关材料；
2．材料以“岗位名称+姓名+项目名称+高校人才网”命名发送至：Talentsfjoel.cn
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职位编制说明
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