07功率半导体工艺研发高级工程师 面议
清华大学能源互联网创新研究院直流研究中心2023年招聘信息
截止日期：详见正文 2023-07-11发布
职位详情
- 子女入学安排
- 五险一金
- 绩效奖金
- 年终奖金
基本信息
- 年龄：35周岁以下
- 用人部门：直流研究中心
- 报名方式：电子邮件
岗位职责
1.从事大功率半导体芯片工艺设计、流片相关工作；
2.负责半导体光刻、注入、扩散、刻蚀、CVD、合金等工艺研发、缺陷检测等问题，提升成品率；
3.推进工艺流片进度，配合进程管理；
4.编写工艺规范，设备标准操作规范；
5.建立工艺稳定性监控机制，培训操作人员；
6.分析工艺异常原因，解决工艺异常，确保研发制造任务正常进行。
2.负责半导体光刻、注入、扩散、刻蚀、CVD、合金等工艺研发、缺陷检测等问题，提升成品率；
3.推进工艺流片进度，配合进程管理；
4.编写工艺规范，设备标准操作规范；
5.建立工艺稳定性监控机制，培训操作人员；
6.分析工艺异常原因，解决工艺异常，确保研发制造任务正常进行。
任职要求
1.国内外正规大学全日制本科及以上学历，5年以上相关工作经验；
2.熟悉功率半导体器件（如晶闸管、IGBT、IGCT、MOSFET等）工作原理；
3.熟悉半导体制造工艺者优先。
需求人数：3-5人
工作地点：北京/成都
2.熟悉功率半导体器件（如晶闸管、IGBT、IGCT、MOSFET等）工作原理；
3.熟悉半导体制造工艺者优先。
需求人数：3-5人
工作地点：北京/成都
其他要求
请应聘者将个人简历、论文、获奖证书等相关材料发送至以下招聘邮箱：
eiri-hr@tsinghua.edu.cn；
邮件主题请写明：“清华大学能源互联网创新研究院+职位名称+姓名+高校人才网”。
北京
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解锁详细分析
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求职安全提示
*重要风险提示
如招聘单位在招聘过程中向求职者提出收取押金、保证金、体检费、材料费、成本费，或指定医院体检等，求职者有权要求招聘单位出具物价部门批准的收费许可证明材料，若无法提供相关证明，请求职者提高警惕，有可能属于诈骗或违规行为。
职位编制说明
职位编制内容仅供参考！请以用人单位发布的公告&职位信息内容为准，或联系用人单位确认。
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